FDS4070N3
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4070N3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 15.3 A
通道数 1
漏源极电阻 7.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 15.3 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2819pF @20VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS4070N3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS4070N3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4070N3 | Fairchild 飞兆/仙童 | 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS4070N3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS4070N3 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 15.3A 5.5mohms | 当前型号 | 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS4070N7 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 15.3A 7mohms | 类似代替 | 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS4070N3和FDS4070N7的区别 |
| 型号： FDS4072N7 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 12.4A 11mohms | 类似代替 | 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS4070N3和FDS4072N7的区别 |
| 型号： FDS4080N3 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 13A 8.5mohms | 类似代替 | 40V N沟道FLMP的PowerTrench MOSFET 40V N-Channel FLMP PowerTrench MOSFET | FDS4070N3和FDS4080N3的区别 |