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FDD3670
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3670  晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS ON specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive even at very high frequencies and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.

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Fast switching speed
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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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High power and current handling capability
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57nC Typical low gate charge
FDD3670中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 34.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 2.49 nF

栅电荷 57.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 34.0 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2490pF @50VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDD3670引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDD3670 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3670  晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号FDD3670
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDD3670

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 100V 34A 22mohms 2.49nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3670  晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号: FDD3682

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 100V 32A 32mohms 1.25nF

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

FDD3670和FDD3682的区别

型号: FDD3672

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 100V 44A 28mohms 1.71nF

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型号: FDD3860

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 100V 6.2A

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