锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
FQP9N90C

FQP9N90C

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

The is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction PFC and electronic lamp ballasts.

.
Low gate charge 45nC
.
Low Crss 14pF
.
100% avalanche tested
FQP9N90C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 8.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.12 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 205 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 2730pF @25VVds

额定功率Max 205 W

下降时间 75 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 205000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQP9N90C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQP9N90C
型号 制造商 描述 购买
FQP9N90C Fairchild 飞兆/仙童 QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FQP9N90C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FQP9N90C

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-220 N-Channel 900V 8A 1.4ohms

当前型号

QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： STP55NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

功能相似

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

FQP9N90C和STP55NF06的区别

型号： STP80NF10

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

FQP9N90C和STP80NF10的区别

型号： STW12NK90Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 900V 11A 880mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V

FQP9N90C和STW12NK90Z的区别