锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
FDP5800

FDP5800

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP5800  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification, battery protection circuit and uninterruptible power supplies applications.

.
High performance Trench technology for extremely low RDS ON
.
Low gate charge
.
High power and current handing capability
FDP5800中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 14.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 242 mW

阈值电压 2.5 V

输入电容 9.16 nF

栅电荷 145 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 60.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 9160pF @15VVds

额定功率Max 242 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 242W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.7 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDP5800引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDP5800
型号 制造商 描述 购买
FDP5800 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP5800  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V 搜索库存