FQB8N90CTM

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3Pin TO-263 T/R

N-Channel 900V 6.3A Tc 171W Tc Surface Mount D²PAK TO-263AB

得捷:
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK

贸泽:
MOSFET N-CH/900V/8A/QFET C-Series

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

FQB8N90CTM中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.6 Ω

极性 N-CH

耗散功率 171 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

连续漏极电流Ids 6.3A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 2080pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 171W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

FQB8N90CTM引脚图与封装图

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