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FJP2160DTU

FJP2160DTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FJP2160DTU中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 800 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 20 @400mA, 3V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FJP2160DTU引脚图与封装图
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FJP2160DTU Fairchild 飞兆/仙童 ESBC™ 功率晶体管,Fairchild Semiconductor 双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™(发射器开关双极/MOSFET 共源栅极)以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容,因此提升了效率、灵活性和稳健性,并且最大限度地降低了驱动功率。 ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存