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FDPF12N50UT

FDPF12N50UT

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

对不起 您的请求暂时未被执行 | ---|--- ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。对不起 您的请求暂时未被执行 | ---|---

N-Channel 500 V 10A Tc 42W Tc Through Hole TO-220F-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F


贸泽:
MOSFET 500V 10A N-Chan Ultra FRFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


安富利:
The UniFET™ MOSFET is high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. UniFET Ultra FRFETTM MOSFET has much superior body diode reverse recovery performance. Its trr is less than 50nsec and the reverse dv/dt immunity is 20V/nsec while normal planar MOSFETs have over 200nsec and 4.5V/nsec respectively. Therefore UniFET Ultra FRFET MOSFET can remove additional component and improve system reliability in certain applications that require performance improvement of the MOSFET’s body diode. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 500V TO-220F-3


FDPF12N50UT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 42 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1395pF @25VVds

额定功率Max 42 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDPF12N50UT引脚图与封装图
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