额定电压DC 60.0 V
额定电流 40.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 56 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 2410pF @25VVds
额定功率Max 56 W
下降时间 105 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQPF65N06 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF65N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQPF65N06 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220F N-Channel 60V 40A 16mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF65N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: STP55NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FQPF65N06和STP55NF06的区别 | |
型号: STP60NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V | FQPF65N06和STP60NF06的区别 | |
型号: STD18N55M5 品牌: 意法半导体 封装: DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQPF65N06和STD18N55M5的区别 |