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FDMS86103L

FDMS86103L

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86103L  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 100 V, 0.0064 ohm, 10 V, 1.9 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.

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Shielded gate MOSFET technology
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Advanced package and silicon combination for low RDS ON and high efficiency
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MSL1 Robust package design
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100% UIL tested
FDMS86103L中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0064 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 12A

输入电容Ciss 3710pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6.15 mm

高度 1.05 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMS86103L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMS86103L Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86103L  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 100 V, 0.0064 ohm, 10 V, 1.9 V 搜索库存