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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDU6696中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 8.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 52.0 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251

外形尺寸

封装 TO-251

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDU6696引脚图与封装图
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FDU6696 Fairchild 飞兆/仙童 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET 搜索库存