FQP70N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP70N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 57.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 23 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 57.0 A
上升时间 470 ns
输入电容Ciss 3300pF @25VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 160 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP70N10引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQP70N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP70N10 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP70N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FQP70N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP70N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 100V 57A 23mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP70N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： HUF75345P3 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 55V 75A 7mohms 4nF | 类似代替 | UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FQP70N10和HUF75345P3的区别 |
| 型号： HUF75339P3 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 55V 75A 12mohms 2nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75339P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 4 V | FQP70N10和HUF75339P3的区别 |
| 型号： HUF75344P3 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 55V 75A 8mohms | 类似代替 | UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FQP70N10和HUF75344P3的区别 |