FQPF8N90C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF8N90C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 6.30 A
漏源极电阻 1.90 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.30 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 2080pF @25VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF8N90C引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQPF8N90C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF8N90C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 900V 6.3A 1.9ohms | 当前型号 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQPF6N90 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO N-Channel 900V 3.4A 1.93Ω | 类似代替 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | FQPF8N90C和FQPF6N90的区别 |
| 型号： IRFZ44EPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 48A | 功能相似 | INFINEON IRFZ44EPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 4 V | FQPF8N90C和IRFZ44EPBF的区别 |
| 型号： STP6NK90ZFP 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 900V 5.8A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP6NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V | FQPF8N90C和STP6NK90ZFP的区别 |