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FDMS8027S

FDMS8027S

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET， Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能

高性能通道技术，RDS（接通）极低

SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管

应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8027S, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin Power 56 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin Power 56 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin Power 56 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V POWER56


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V POWER56


FDMS8027S中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 2.3 ns

输入电容Ciss 1815pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 36 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMS8027S引脚图与封装图
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在线购买FDMS8027S
型号 制造商 描述 购买
FDMS8027S Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDMS8027S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDMS8027S

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： Power N-Channel 30V 18A

当前型号

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： BSC050N03LSGATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 30V 18A

功能相似

INFINEON  BSC050N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.2 V 新

FDMS8027S和BSC050N03LSGATMA1的区别

型号： BSC0906NSATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 30V 18A

功能相似

INFINEON  BSC0906NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V

FDMS8027S和BSC0906NSATMA1的区别