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FDMS8570S
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET, Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能

高性能通道技术,RDS(接通)极低

SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管

应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关


立创商城:
N沟道 25V 24A 60A


得捷:
28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8570S, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin Power 56 T/R


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Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin Power 56 T/R


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Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin Power 56 T/R


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MOSFET N-CH 25V 24A 8-PQFN


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 24A 8-PQFN


FDMS8570S中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.3 W

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 28A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 2825pF @13VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 48W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5.1 mm

宽度 5.85 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDMS8570S引脚图与封装图
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FDMS8570S Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存