FDS3512
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS3512中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 4.00 A
漏源极电阻 70.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 634 pF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 634pF @40VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS3512引脚图与封装图
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在线购买FDS3512
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS3512 | Fairchild 飞兆/仙童 | 80V N沟道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS3512
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS3512 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 80V 4A 70mohms 634pF | 当前型号 | 80V N沟道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STS4NF100 品牌： 意法半导体 封装： SOIC N-Channel 100V 4A 65mohms | 功能相似 | N沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET | FDS3512和STS4NF100的区别 |