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FDS4675_F085

FDS4675_F085

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V

The is a P-channel MOSFET produced using rugged gate version of Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage 4.5 to 20V. It is suitable for load switch and battery protection application.

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Fast switching speed
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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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High current and power handling capability
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AEC-Q101 Qualified
FDS4675_F085中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.01 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.4 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 11A

输入电容Ciss 4350pF @20VVds

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.575 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDS4675_F085引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDS4675_F085 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V 搜索库存
替代型号FDS4675_F085
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS4675_F085

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOIC P-Channel 40V 11A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V

当前型号

型号: FDS4675

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOIC P-Channel -40V -11A 13mohms 4.35nF

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