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FDU3580
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道 80V 7.7A

N-Channel 80V 7.7A Ta 3.8W Ta, 42W Tc Through Hole I-PAK


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N沟道 80V 7.7A


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MOSFET N-CH 80V 7.7A IPAK


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Trans MOSFET N-CH 80V 7.7A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


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MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK


FDU3580中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 7.70 A

漏源极电阻 29.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.8W Ta, 42W Tc

输入电容 1.76 nF

栅电荷 35.0 nC

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.70 A

上升时间 8.00 ns

输入电容Ciss 1760pF @40VVds

耗散功率Max 3.8W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDU3580引脚图与封装图
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