FDP027N08B_F102
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP027N08B_F102中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.21 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 246 W
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 223A
输入电容Ciss 13530pF @40VVds
额定功率Max 246 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 246W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.672 mm
高度 15.215 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDP027N08B_F102引脚图与封装图
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在线购买FDP027N08B_F102
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP027N08B_F102 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDP027N08B_F102
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP027N08B_F102 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-CH 80V 223A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDP027N08B 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-CH 80V 223A | 类似代替 | 新产品，技巧和工具的电源和移动应用 New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications | FDP027N08B_F102和FDP027N08B的区别 |