FQPF8N80CYDTU
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF8N80CYDTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 8.00 A
通道数 1
漏源极电阻 1.55 Ω
极性 N-CH
耗散功率 59 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 2050pF @25VVds
额定功率Max 59 W
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 59W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF8N80CYDTU引脚图与封装图
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在线购买FQPF8N80CYDTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF8N80CYDTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3Pin3+Tab TO-220F Tube | 搜索库存 |
替代型号FQPF8N80CYDTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF8N80CYDTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-CH 800V 8A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3Pin3+Tab TO-220F Tube | 当前型号 |
| 型号： FQPF8N80C 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-Channel 800V 8A 1.55ohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF8N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 V | FQPF8N80CYDTU和FQPF8N80C的区别 |
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