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FCD620N60ZF

FCD620N60ZF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 600V 7.3A Tc 89W Tc Surface Mount TO-252AA


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7


贸泽:
MOSFET HV SuperJunction MOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin DPAK T/R


富昌:
600v, 7.3a, 620mohm, n-ch, dpak


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3


FCD620N60ZF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 620 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 89 W

阈值电压 3V ~ 5V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1135pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.39 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FCD620N60ZF引脚图与封装图
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FCD620N60ZF Fairchild 飞兆/仙童 SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存