
额定电压DC 250 V
额定电流 20.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 94 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 94 W
阈值电压 5 V
输入电容 2.13 nF
栅电荷 48.0 nC
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
输入电容Ciss 2135pF @25VVds
额定功率Max 37 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 37W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDPF33N25T | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF33N25T 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDPF33N25T 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220F N-Channel 250V 20A 77mohms 2.13nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF33N25T 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 | |
型号: STF17NF25 品牌: 意法半导体 封装: TO-220-3 N-Channel 250V 8.5A | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 | FDPF33N25T和STF17NF25的区别 | |
型号: FDPF33N25 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET | FDPF33N25T和FDPF33N25的区别 |