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FDPF33N25T

FDPF33N25T

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF33N25T  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 V

The is an UniFET™ high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

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100% Avalanche tested
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36.8nC Typical low gate charge
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39pF Typical low Crss
FDPF33N25T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 20.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 94 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 94 W

阈值电压 5 V

输入电容 2.13 nF

栅电荷 48.0 nC

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

输入电容Ciss 2135pF @25VVds

额定功率Max 37 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 37W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

FDPF33N25T引脚图与封装图
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在线购买FDPF33N25T
型号 制造商 描述 购买
FDPF33N25T Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF33N25T  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 V 搜索库存
替代型号FDPF33N25T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDPF33N25T

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220F N-Channel 250V 20A 77mohms 2.13nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF33N25T  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 V

当前型号

型号: STF17NF25

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3 N-Channel 250V 8.5A

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

FDPF33N25T和STF17NF25的区别

型号: FDPF33N25

品牌: 飞兆/仙童

封装:

功能相似

250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET

FDPF33N25T和FDPF33N25的区别