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FDMC7660DC

FDMC7660DC

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC7660DC  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 30A, POWER33

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 T/R


富昌:
30 V N沟道 Dual cool Power Trench MOSFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC7660DC  Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 A, 30 V, 1.6 mohm, 10 V, 2 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 40A POWER33


FDMC7660DC中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0016 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 6.6 ns

输入电容Ciss 5170pF @15VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 78W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.95 mm

封装 Power-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMC7660DC引脚图与封装图
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在线购买FDMC7660DC
型号 制造商 描述 购买
FDMC7660DC Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC7660DC  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 30A, POWER33 搜索库存
替代型号FDMC7660DC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDMC7660DC

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: Power Dual N-Channel 30V 30A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC7660DC  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 30A, POWER33

当前型号

型号: NTMFS4982NFT1G

品牌: 安森美

封装: SO-8FL N-CH 30V 60A

功能相似

功率MOSFET,30V,207A,1.3mΩ,单N沟道

FDMC7660DC和NTMFS4982NFT1G的区别

型号: NTMFS4982NFT3G

品牌: 安森美

封装: SO-FL N-CH 30V 60A

功能相似

N沟道 30V 207A

FDMC7660DC和NTMFS4982NFT3G的区别