FDD86567_F085
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD86567_F085中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 227000 mW
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 4950pF @30VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 227 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
FDD86567_F085引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD86567_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |