FDS6679Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6679Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -13.0 A
通道数 1
漏源极电阻 9 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 3.80 nF
栅电荷 67.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 3803pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 54 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6679Z引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS6679Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6679Z | Fairchild 飞兆/仙童 | 30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS6679Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6679Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel 30V 13A 9mohms 3.8nF | 当前型号 | 30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS6679AZ 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel -30V -13A 3.84nF | 类似代替 | PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDS6679Z和FDS6679AZ的区别 |
| 型号： TPS1100D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC P-Channel -15V -1.6A 180mohms | 功能相似 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | FDS6679Z和TPS1100D的区别 |
| 型号： TPS1100DR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC P-Channel -15V 1.6A | 功能相似 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | FDS6679Z和TPS1100DR的区别 |