FQI7N60TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQI7N60TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 7.40 A
漏源极电阻 1.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.40 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 1430pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 142W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQI7N60TU引脚图与封装图
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在线购买FQI7N60TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQI7N60TU | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET QFET® 800 V， 3.9 A， 3.6 I© N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω | 搜索库存 |
替代型号FQI7N60TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQI7N60TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-262 N-Channel 600V 7.4A 1ohms | 当前型号 | N沟道MOSFET QFET® 800 V， 3.9 A， 3.6 I© N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω | 当前型号 |
| 型号： STI13NM60N 品牌： 意法半导体 封装： TO-262 N-Channel 600V 11A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STI13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V | FQI7N60TU和STI13NM60N的区别 |
| 型号： STB10NK60Z-1 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 600V 10A 750mΩ | 功能相似 | N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET | FQI7N60TU和STB10NK60Z-1的区别 |
| 型号： STB11NM60-1 品牌： 意法半导体 封装： I2PAK-3 N-Channel 600V 11A 450mohms 1nF | 功能相似 | N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET | FQI7N60TU和STB11NM60-1的区别 |