
额定电压DC 100 V
额定电流 25.0 A
漏源极电阻 0.046 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
阈值电压 2.4 V
输入电容 1.73 nF
栅电荷 38.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 1735pF @50VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDD3680 | Fairchild 飞兆/仙童 | 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDD3680 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 100V 25A 32mohms 1.73nF | 当前型号 | 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
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型号: STD25NF10LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 25A 30mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FDD3680和STD25NF10LT4的区别 | |
型号: STD25NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 12.5A 33mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V | FDD3680和STD25NF10T4的区别 |