
针脚数 3
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 38.5 W
阈值电压 5 V
输入电容 1.94 nF
栅电荷 45.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 1945pF @25VVds
额定功率Max 38.5 W
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38.5 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.87 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDPF16N50 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF16N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 380 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDPF16N50 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220F N-Channel 500V 16A 380mohms 1.94nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF16N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 380 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 | |
型号: SIHF16N50C-E3 品牌: 威世 封装: TO-220FP N-Channel | 功能相似 | VISHAY SIHF16N50C-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V | FDPF16N50和SIHF16N50C-E3的区别 |