FDP33N25
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP33N25中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 33.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.094 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 235 W
阈值电压 5 V
输入电容 2.13 nF
栅电荷 48.0 nC
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 33.0 A
上升时间 230 ns
输入电容Ciss 2135pF @25VVds
额定功率Max 235 W
下降时间 120 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 235W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDP33N25引脚图与封装图 
FDP33N25引脚图
FDP33N25封装焊盘图
在线购买FDP33N25
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP33N25 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP33N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDP33N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP33N25 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 250V 33A 94mohms 2.13nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP33N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： STP50NF25 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 250V 22A | 功能相似 | N 通道 STripFET™，STMicroelectronics | FDP33N25和STP50NF25的区别 |
| 型号： STP52N25M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-CH 250V 28A | 功能相似 | N沟道250 V ， 0.055 I© ， 28 A， TO- 220 MDmeshTM V功率MOSFET N-channel 250 V, 0.055 Ω, 28 A, TO-220 MDmeshTM V Power MOSFET | FDP33N25和STP52N25M5的区别 |