FDMS7570S
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMS7570S中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 5.9 ns
输入电容Ciss 4515pF @13VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2013/12/16
FDMS7570S引脚图与封装图
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在线购买FDMS7570S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMS7570S | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDMS7570S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMS7570S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： Power N-Channel 25V 30A | 当前型号 | PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDMS0312S 品牌： 飞兆/仙童 封装： Power N-Channel 30V 19A | 类似代替 | N沟道的PowerTrench SyncFETTM N-Channel PowerTrench® SyncFETTM | FDMS7570S和FDMS0312S的区别 |
| 型号： FDMS7676 品牌： 飞兆/仙童 封装： Power N-Channel 30V 28A | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7676 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V | FDMS7570S和FDMS7676的区别 |
| 型号： FDMS7692 品牌： 飞兆/仙童 封装： Power N-Channel 30V 14A | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDMS7570S和FDMS7692的区别 |