
额定电压DC -400 V
额定电流 -2.70 A
漏源极电阻 3.10 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.70 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 680pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 37 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQD4P40TM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQD4P40TM 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 P-Channel 400V 2.7A 3.1ohms | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: FQD4P40TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 P-CH 400V 2.7A | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FQD4P40TM和FQD4P40TF的区别 | |
型号: FQD4P40TM_AM002 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 | 类似代替 | MOSFET P-CH/400V/2.7A/3.1Ω | FQD4P40TM和FQD4P40TM_AM002的区别 |