FDD16AN08A0
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD16AN08A0中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 75.0 V
额定电流 50.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 135 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.87 nF
栅电荷 31.0 nC
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 54 ns
输入电容Ciss 1874pF @25VVds
额定功率Max 135 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD16AN08A0引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDD16AN08A0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD16AN08A0 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD16AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FDD16AN08A0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD16AN08A0 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 75V 50A 16mohms 1.87nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD16AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： FDD16AN08A0_NF054 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 75V 9A | 类似代替 | N沟道 75V 50A 9A | FDD16AN08A0和FDD16AN08A0_NF054的区别 |
| 型号： BUK6211-75C,118 品牌： 恩智浦 封装： SOT428 N-Channel 75V 74A | 功能相似 | DPAK N-CH 75V 74A | FDD16AN08A0和BUK6211-75C,118的区别 |