
额定电压DC 150 V
额定电流 45.6 A
针脚数 3
漏源极电阻 33 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 210 W
阈值电压 4 V
输入电容 2.50 nF
栅电荷 85.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 45.6 A
上升时间 320 ns
输入电容Ciss 3250pF @25VVds
额定功率Max 210 W
下降时间 200 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 210W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQP46N15 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP46N15 晶体管, MOSFET, N沟道, 45.6 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQP46N15 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 150V 45.6A 42mohms 2.5nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP46N15 晶体管, MOSFET, N沟道, 45.6 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: STP55NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FQP46N15和STP55NF06的区别 | |
型号: STP60NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V | FQP46N15和STP60NF06的区别 | |
型号: STP80NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FQP46N15和STP80NF10的区别 |