FDS4470
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4470中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 12.5 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.006 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 3.9 V
输入电容 2.66 nF
栅电荷 45.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 -100 V
连续漏极电流Ids 12.5 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2659pF @20VVds
额定功率Max 1.2 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS4470引脚图与封装图
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在线购买FDS4470
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4470 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4470 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 40 V, 0.006 ohm, 10 V, 3.9 V | 搜索库存 |
替代型号FDS4470
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS4470 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 12.5A 9mohms 2.66nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4470 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 40 V, 0.006 ohm, 10 V, 3.9 V | 当前型号 |
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