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FDMC86520L

FDMC86520L

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 60V 13.5A Ta, 22A Tc 2.3W Ta, 40W Tc Surface Mount 8-MLP 3.3x3.3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin Power 33 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin Power 33 T/R


富昌:
FDMC86520L 系列 60 V 13.5 A 7.9 mOhm N沟道 PowerTrench Mosfet - MLP-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin Power 33 T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP


FDMC86520L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.3 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 13.5A

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 4550pF @30VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 3.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.75 mm

封装 Power-33-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDMC86520L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMC86520L Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存