FJBE2150DTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJBE2150DTU中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 110 W
增益频宽积 5 MHz
击穿电压集电极-发射极 800 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 35
额定功率Max 110 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.85 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FJBE2150DTU引脚图与封装图
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在线购买FJBE2150DTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJBE2150DTU | Fairchild 飞兆/仙童 | ESBC™ 功率晶体管，Fairchild Semiconductor 双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™（发射器开关双极/MOSFET 共源栅极）以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容，因此提升了效率、灵活性和稳健性，并且最大限度地降低了驱动功率。 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |