FDS2670
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS2670中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 3.00 A
通道数 1
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.23 nF
栅电荷 27.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1228pF @100VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS2670引脚图与封装图
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在线购买FDS2670
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS2670 | Fairchild 飞兆/仙童 | 200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS2670
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS2670 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 200V 3A 100mohms 1.23nF | 当前型号 | 200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS2670_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS2670和FDS2670_NL的区别 |