FDR8702H

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

20V N" P沟道PowerTrench MOSFET 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8

立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 20V 3.6A 2.6A

得捷:
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.6A/2.6A 8-Pin SuperSOT T/R

Win Source:
20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET

FDR8702H中文资料参数规格

技术参数

额定电流 3.60 A

漏源极电阻 38.0 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 800 mW

输入电容 607 pF

栅电荷 8.00 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.60 A

上升时间 11.0 ns

输入电容Ciss 650pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSOT-8

外形尺寸

封装 SSOT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDR8702H引脚图与封装图

暂无图片

在线购买FDR8702H

型号	制造商	描述	购买
FDR8702H	Fairchild 飞兆/仙童	20V N" P沟道PowerTrench MOSFET 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET	搜索库存