FDMC8554
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMC8554中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 3.60 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 3.38 nF
栅电荷 62.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 16.5 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 3380pF @10VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 41W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.95 mm
封装 Power-33-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDMC8554引脚图与封装图
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在线购买FDMC8554
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMC8554 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDMC8554
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMC8554 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： Power33 N-Channel 20V 16.5A 3.6mohms 3.38nF | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： BSZ035N03LS G 品牌： 英飞凌 封装： TSDSON-8 N-Channel | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8Pin TSDSON | FDMC8554和BSZ035N03LS G的区别 |
| 型号： PSMN3R5-30LL,115 品牌： 恩智浦 封装： 8-VDFN N-Channel | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8Pin QFN EP T/R | FDMC8554和PSMN3R5-30LL,115的区别 |