FDS6570A
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6570A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 15.0 A
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 900 mV
输入电容 4.70 nF
栅电荷 47.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 27.0 ns
输入电容Ciss 4700pF @10VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6570A引脚图与封装图
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在线购买FDS6570A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6570A | Fairchild 飞兆/仙童 | 单N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS6570A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6570A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 15A 7.5mohms 4.7nF | 当前型号 | 单N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI4876DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SO N-Channel 20V 21A 5mΩ | 功能相似 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.0037Ω; ID 14A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-12V; -55 | FDS6570A和SI4876DY-T1-E3的区别 |
| 型号： FDS6570A_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | FDS6570A和FDS6570A_NL的区别 |