FQPF32N20C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF32N20C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 28.0 A
漏源极电阻 82.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 270 ns
输入电容Ciss 2220pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 210 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF32N20C引脚图与封装图
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在线购买FQPF32N20C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF32N20C | Fairchild 飞兆/仙童 | 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQPF32N20C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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