FDS8672S
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8672S中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2670pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDS8672S引脚图与封装图
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在线购买FDS8672S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8672S | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8672S 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V | 搜索库存 |
替代型号FDS8672S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8672S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 18A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8672S 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V | 当前型号 |
| 型号： FDS6688S 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 16A 6mohms 3.29nF | 类似代替 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | FDS8672S和FDS6688S的区别 |
| 型号： FDS6688 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 16A 4.5mohms 3.89nF | 类似代替 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS8672S和FDS6688的区别 |
| 型号： FDS6689S 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 16A 5.4mohms 3.29nF | 类似代替 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | FDS8672S和FDS6689S的区别 |