FQB6N60CTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB6N60CTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 6.00 A
漏源极电阻 1.70 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
输入电容Ciss 810pF @25VVds
额定功率Max 125 W
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQB6N60CTM引脚图与封装图
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| FQB6N60CTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |