FQI15P12TU

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

P沟道 120V 15A

P-Channel 120 V 15A Tc 3.75W Ta, 100W Tc Through Hole I2PAK TO-262

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P沟道 120V 15A

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MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK

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MOSFET P-CH/120V/15A/QFET

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Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail

FQI15P12TU中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -120 V

额定电流 -15.0 A

漏源极电阻 170 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 3.75 W

漏源极电压Vds 120 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 80 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

高度 7.88 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQI15P12TU引脚图与封装图

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