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FDS4559_F085

FDS4559_F085

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDS4559_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N+P

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 4.5A/3.5A

输入电容Ciss 650pF @25VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.575 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDS4559_F085引脚图与封装图
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在线购买FDS4559_F085
型号 制造商 描述 购买
FDS4559_F085 Fairchild 飞兆/仙童 FDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench MOSFET - SOIC-8 搜索库存
替代型号FDS4559_F085
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS4559_F085

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: 8-SOIC N P 60V 4.5A/3.5A

当前型号

FDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench MOSFET - SOIC-8

当前型号

型号: FDS4559

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 60V 4.5A 55mohms 759pF

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