
通道数 2
极性 N+P
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 4.5A/3.5A
输入电容Ciss 650pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS4559_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | FDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench MOSFET - SOIC-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS4559_F085 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: 8-SOIC N P 60V 4.5A/3.5A | 当前型号 | FDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench MOSFET - SOIC-8 | 当前型号 | |
型号: FDS4559 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 60V 4.5A 55mohms 759pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4559 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 60 V, 55 mohm, 10 V, 2.2 V | FDS4559_F085和FDS4559的区别 | |
型号: IRF7343PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N+P 55V 4.7A 3.4A | 功能相似 | INFINEON IRF7343PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V | FDS4559_F085和IRF7343PBF的区别 | |
型号: AUIRF7343QTR 品牌: 英飞凌 封装: 8-SOIC N+P 55V 4.7A 3.4A | 功能相似 | 双路场效应管, MOSFET, 双路N和P通道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V | FDS4559_F085和AUIRF7343QTR的区别 |