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FCP380N60E

FCP380N60E

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP380N60E  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 600 V 10.2A Tc 106W Tc Through Hole TO-220-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3


贸泽:
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP380N60E  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V TO220-3


FCP380N60E中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.32 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 106 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 10.2A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1770pF @25VVds

额定功率Max 106 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 106W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FCP380N60E引脚图与封装图
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FCP380N60E Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP380N60E  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存