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FDMS86252L

FDMS86252L

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 150 V 4.4A Ta, 12A Tc 2.5W Ta, 50W Tc Surface Mount 8-PQFN 5x6


得捷:
FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin Power 56 EP T/R


FDMS86252L中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 46 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 4.4A

上升时间 1.4 ns

输入电容Ciss 1335pF @75VVds

下降时间 2.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5.85 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

FDMS86252L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMS86252L Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存