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FDB12N50TM

FDB12N50TM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDB12N50TM中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 165000 mW

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 11.5 A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 1315pF @25VVds

额定功率Max 165 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDB12N50TM引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDB12N50TM Fairchild 飞兆/仙童 UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存