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FDS6574A
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6574A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 20 V, 0.004 ohm, 4.5 V, 600 mV

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A, Semiconductor


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDS6574A 系列 20 V 6 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet - SOIC-8


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6574A  MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 20 V, 0.004 ohm, 4.5 V, 600 mV


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC


FDS6574A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 16.0 A

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 600 mV

输入电容 7.66 nF

栅电荷 75.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 22.0 ns

输入电容Ciss 7657pF @10VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS6574A引脚图与封装图
FDS6574A引脚图

FDS6574A引脚图

FDS6574A封装焊盘图

FDS6574A封装焊盘图

在线购买FDS6574A
型号 制造商 描述 购买
FDS6574A Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6574A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 20 V, 0.004 ohm, 4.5 V, 600 mV 搜索库存
替代型号FDS6574A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS6574A

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 20V 16A 6mohms 7.66nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6574A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 20 V, 0.004 ohm, 4.5 V, 600 mV

当前型号

型号: FDS6574A_NL

品牌: 飞兆/仙童

封装:

功能相似

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDS6574A和FDS6574A_NL的区别