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FDP050AN06A0

FDP050AN06A0

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP050AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0043 ohm, 10 V, 4 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and uninterruptible power supplies.

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Low Miller charge
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Low Qrr body diode
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UIS Capability single pulse and repetitive pulse
FDP050AN06A0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0043 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 245 W

阈值电压 4 V

输入电容 3.90 nF

栅电荷 61.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 160 ns

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

额定功率Max 245 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 245W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.83 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDP050AN06A0引脚图与封装图
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FDP050AN06A0 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP050AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0043 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存