
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0105 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 10.8A
上升时间 4.4 ns
输入电容Ciss 2005pF @20VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 11.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS4141_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4141_F085 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.0105 ohm, -10 V, -1.7 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS4141_F085 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC-8 P-Channel 40V 10.8A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4141_F085 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.0105 ohm, -10 V, -1.7 V | 当前型号 | |
型号: FDS4141 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC-Narrow-8 P-Channel 40V 10.8A | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4141 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -1.6 V | FDS4141_F085和FDS4141的区别 |